半導體外延爐中氣氛控制的準確性直接關系到外延層的質量和器件的性能，主要包括對氣體成分、濃度、流量和壓力等參數的調節。以下是該領域的重要技術與應用進展：
1.關鍵控制參數
氣體成分和濃度：必須嚴格控制反應氣體與載氣的混合比例，以確保化學氣相沉積過程中反應速率的穩定。
流量與壓力：利用高精度的質量流量控制器和壓力傳感器，實現氣體流量的動態平衡，防止局部濃度差異引起的缺陷率上升。
2.技術實施方法
閉環反饋系統：通過實時監測與反饋機制，結合紅外測溫儀等設備，動態調整工藝參數，以提高外延層的厚度和摻雜的均勻性。
溫度控制協同優化：溫度變化會直接影響氣體的反應速度，因此需要通過高穩定性的加熱系統和冷卻設備來保持熱平衡，從而間接確保環境的穩定性。
3.設備設計的創新。
雙腔體設計：例如連科半導體的立式雙片8寸碳化硅外延爐，通過雙載盤同步操作，優化了氣體的均勻分布，這不僅降低了單片成本，還減少了缺陷率。
旋轉襯底技術：通過旋轉襯底來提高氣體擴散效率，降低顆粒物沉積，從而改善外延膜的均勻性。
4.行業的發展趨勢
高溫與高效能方向：為了滿足碳化硅等寬禁帶半導體的需求，半導體外延爐逐漸朝著更高溫度方向發展，這就要求氣氛控制系統具備更強的耐高溫能力和更快的響應速度。
國產替代加速：國內廠家通過技術創新，不斷在氣體流量控制和壓力穩定性等關鍵指標上縮短與國際企業之間的差距。