在半導體外延爐的選擇中，價錢與性能平衡需結合技術方案、應用領域及國產化替代發展趨勢綜合考慮。以下屬于重要衡量點與建議：
1. 技術方案與價格差異
平移式CVD機器設備：具有技術水平低、成本費適中特性，適宜新入公司或中小型生產能力要求，但外延性均勻度和不合格率操縱相對較差。
多內腔/多內置式設計方案：根據同步運行提高生產能力（如8英尺SiC外延性爐生長速度＞60 μm/h），減少片式成本費，但機器設備復雜性高，前期投入很大。
國產產品優點：廠商根據可靠性設計提高均勻度（厚度均勻性＜1.5%，缺點相對密度＜0.3顆/cm2），與此同時價格較進口產品低約30%-50%，適宜大規模生產要求。
2. 特性關鍵指標與股權溢價要素
外延性品質：夾雜均勻度（＜3%）、缺點相對密度（如細顆粒物操縱）、外表粗糙度（Ra＜0.15 nm）直接關系元器件穩定性，高端數控機床根據閉環控制溫度控制和氣體分布提升完成更高一些指標值，但是價格明顯高過國產產品。
持續高溫可靠性：氮化硅外延性需承受1500°C左右高溫天氣，進口產品在耐腐蝕材料和傳感器精度上仍具優點，但國產產品已經接近國際水平。
自動化技術與維護費用：進口產品集成化自控系統（如實時反饋調節工藝指標），減少人工控制，但維護成本成本相對高；國產產品根據模塊化減少維護保養難度系數，性價比高更優質。
3. 應用領域兼容提議
功率器件：首先選擇國內多內置式機器設備，兼具生產能力（每年產量＞500片）與成本，達到新能源電動車、太陽能逆變器高壓要求。
射頻器件：需更高一些夾雜均勻度和高不合格率，可以考慮進口產品或國產高端型號規格，但需要衡量股權溢價與長期穩定性。
研發及小批生產：選用平移式CVD機器設備控制成本，雖特性略遜，但能達到前期認證要求。
4. 國產化替代發展趨勢與長期成本優化
國產廠商根據技術升級逐步縮小與國外差別，政策扶持加快產能擴張，在未來3-5年國產產品市場價格進一步下降10%-20%。
可以關注國產產品在一定原材料的創新，其性價比優勢在寬禁帶半導體行業尤其明顯。