明確半導體外延爐所需要的氮氣量應該考慮多方面因素，一般建議在0.1-2升/min中間。
一、半導體外延爐及加氦基本原理
半導體外延爐是制取半導體器件的關鍵設備之一，能夠在持續高溫、髙壓的氛圍環境里，將氣體中的反映原材料附著在基板上，產生薄膜材料。為保持氛圍環境中的平穩、控溫、穩壓，液相外延性爐一般要加入制冷汽體，常見的是氮氣。氮氣可以快速降溫，同時還可以將反映物質運送到堆積地區，以保證制備的薄膜材料具有很高的品質。在加氦的前提下，也要保持適宜的總流量，以保證氛圍環境中的穩定。
二、怎么確定合適的氮氣量
明確半導體外延爐所需要的氮氣量應該考慮多方面因素，包含爐子的型號規格、加熱功率、制取材料規格等多種因素。一般來說，氮氣平臺流量在0.1-2升/min中間。假如總流量過小，則無法很好地制冷爐墻和反應物質，可能會致使物質質量不高，反映地區超溫；假如總流量很大，就會導致氛圍自然環境不穩，危害產品的均勻度，與此同時會增加氮氣的消耗成本費。
除開總流量，氮氣壓力也需要考慮。一般來說，氮氣工作壓力要保持在1-3 bar中間，過高或過低壓力都將危害反映原材料的輸運和堆積，進而影響制取薄膜的品質。
三、結束語
使用半導體外延爐制取資料時，適宜的氮氣量針對材料的質量制造工藝高效率都是有著不可忽視危害。因而，在挑選氮氣流量時，必須綜合考慮運行參數和制取材料規格等多種因素，并進行實際實驗和改進。