半導(dǎo)體外延爐主要是用于晶圓制造的核心設(shè)備，在半導(dǎo)體制造流程中扮演著不可或缺的角色。下列以其作用、運(yùn)用階段及必要性三方面進(jìn)行表明：
一、功能和基本原理
外延爐根據(jù)液相外延性（VPE）或高效液相外延性（LPE）技術(shù)性，在多晶硅基板表層生長發(fā)育一層與基板晶向同樣、電阻可控單晶體層。這一過程相近“結(jié)晶延展”，可控制外延性厚度、摻雜濃度及晶格結(jié)構(gòu)，完成彈性散射測量精度原材料堆積。比如，在硅晶圓上生長發(fā)育氮化硅外延層時，外延性爐需要在超高壓高溫條件下保持氣體壓力與溫度穩(wěn)定，保證外延層品質(zhì)。
二、在晶圓制造中的運(yùn)用階段
主要材料制取：在晶圓制造前期，外延性爐用于在拋光后的單晶體基板上生長發(fā)育外延層，為下一步元器件生產(chǎn)制造提供高品質(zhì)原材料基本。比如，電力電子器件需要在低阻抗基板上生長發(fā)育高阻外延層以平衡擊穿場強(qiáng)與串聯(lián)電阻。
元器件性能調(diào)優(yōu)：根據(jù)外延生長可以實(shí)現(xiàn)異質(zhì)結(jié)、雙層或多組分化合物結(jié)構(gòu)，達(dá)到高頻率大電力電子器件對設(shè)備耐壓、高電壓及無耗的需要。比如，氮化硅外延性爐生長同質(zhì)性外延性材質(zhì)是碳化硅芯片生產(chǎn)制造的重要環(huán)節(jié)。
加工工藝兼容模式：外延性技術(shù)性能與掩膜技術(shù)結(jié)合，在指定區(qū)域開展可選擇性外延生長，或者通過摻雜濃度調(diào)整完成功能性要求，為集成電路制造給予協(xié)調(diào)能力。
三、必要性剖析
技術(shù)核心性：外延爐是承攬基板與芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備，直接關(guān)系芯片級別與合格率。比如，氮化硅外延性爐的技術(shù)突破（如國內(nèi)6英尺設(shè)備對標(biāo)國際流行）可支撐點(diǎn)中國芯片產(chǎn)業(yè)大規(guī)模的發(fā)展趨勢。
產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)性：在8-12英尺半導(dǎo)體材料大硅片設(shè)備領(lǐng)域，外延性爐與單晶爐、氧化爐、光刻技術(shù)等設(shè)施共同構(gòu)成了詳細(xì)加工工藝鏈，是晶圓制造不可或缺的一環(huán)。
創(chuàng)新驅(qū)動力：外延爐的技術(shù)發(fā)展（如立柱式雙片構(gòu)造、承重盤定位設(shè)備）可明顯提高生產(chǎn)能力、減少不合格率，推進(jìn)5G通訊、新能源車等行業(yè)芯片生產(chǎn)的產(chǎn)品升級。