半導體外延爐常用汽體依據外延性加工工藝種類（如液相外延性、分子束外延性等）及目標材料的不同略有不同，但主要分載氣、反映源汽體、夾雜汽體等輔助汽體四大類。以下屬于實際分類及典型性汽體實例：

一、載氣（Carrier Gas）

功效：稀釋液反映源汽體、調整化學反應速率、保持反映內腔工作壓力平穩。

典型性汽體：

H2（H?）：廣泛使用載氣，兼顧氧化性，能防止基板空氣氧化，同時促進氣相反應（如SiHCl?溶解）。

N2（N?）：可塑性載氣，用于H2敏感加工工藝（如一些化合物半導體外延性）。

氬氣瓶（Ar）：極高純稀有氣體，用以分子束外延性（MBE）等都需要非常高真空值工藝。

二、反映源汽體（Source Gases）

功效：給予外延生長所需要的分子或分子結構，根據化學變化或物理學堆積產生單晶體層。

典型性汽體：

硅基外延性：

硅烷（SiH?）：超低溫外延性常見，熱分解溫度低（約400℃），但安全系數要求嚴格。

三氯氫硅（SiHCl?）：持續高溫外延性（800-1200℃）流行汽體，溶解形成硅原子和氯化氫氣體（HCl）。

二氯硅烷（SiH?Cl?）：處于SiH?和SiHCl?中間，適用中等水平環境溫度加工工藝。

化合物半導體外延性：

砷化氫（AsH?）：用以生長發育GaAs（GaAs）等Ⅲ-Ⅴ族物質。

磷化氫（PH?）：用以磷化鎵（GaP）或磷化銦（InP）外延性。

二氧化氮（NH?）：和金屬有機化學源（如TMGa）反應生成氮化鎵（GaN）。

合金有機化學源（MO源）：如三甲基鎵（TMGa）、三甲基鋁（TMAl），用以金屬材料有機化學干法刻蝕（MOCVD）。

三、夾雜汽體（Dopant Gases）

功效：引進殘渣分子，管控外延層的熱學使用性能（如導電性種類、電阻）。

典型性汽體：

n型夾雜：

磷化氫（PH?）：用以硅或化合物半導體中引入磷（P）殘渣。

砷化氫（AsH?）：用以濃度較高的n型夾雜（如GaAs外延性）。

p型夾雜：

乙硼烷（B?H?）：用以硅中引入硼（B）殘渣。

二甲基鋅（DMZn）：用以GaN中引入鎂（Mg）等p型殘渣（需活性解決）。

四、協助汽體（Auxiliary Gases）

功效：優化設計方案標準（如離子注入、清理、處理等）。

典型性汽體：

氫氣（Cl?）：用以原點離子注入基板高溫氧化層或缺點。

O2（O?）：與H2混和形成水蒸汽，用以二氧化硅層生長發育或清洗。

氮氣（He）：用以MBE制造過程中制冷分子束源或檢驗漏率。

五、汽體挑選的重要因素

加工工藝種類：液相外延性（CVD）需持續高溫反映汽體，MBE則依靠高純分子束。

原材料管理體系：硅基、Ⅲ-Ⅴ族或Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體對汽體類型要求不一樣。

安全系數：可燃性氣體（如SiH?、PH?）需嚴格監管儲存和輸送設備。

純凈度規定：外延層品質對汽體純凈度比較敏感，一般需達到9N（99.9999999%）之上。